碳化硅衬底赛道并购标的图谱

赛道概览

碳化硅衬底是碳化硅功率器件与射频器件的基础材料。相比硅基器件，碳化硅具备更高的击穿场强、更好的热导率与更低的开关损耗，在新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、充电桩与轨道交通牵引系统中具有明确的性能优势。

该赛道的核心难点在于单晶生长。主流的物理气相传输法生长速率慢、周期长，且微管缺陷密度、位错密度与电阻率均匀性直接决定良率与器件性能。此外，碳化硅硬度接近金刚石，切磨抛环节的耗材成本与加工损耗同样构成竞争壁垒。衬底尺寸从 4 英寸向 6 英寸、8 英寸演进的过程，是行业成本下降的主要路径。

从并购角度看，这是典型的重资产、长周期、技术密集型环节：一方面前期投入大、爬坡期长，具备一定的进入壁垒；另一方面下游器件厂对供应链安全高度敏感，向上游延伸的整合意愿强烈。国内已形成一批具备量产能力的非上市厂商，是产业资本与上市公司外延布局的重点关注对象。

尽调中应重点关注实际出货尺寸结构、良率水平与长期供货协议的稳定性。